為什么在伺服驅(qū)動器中SiC碳化硅MOSFET逐步取代IGBT！ 使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅伺服驅(qū)動器！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷 使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT伺服驅(qū)動器，實現(xiàn)更高的伺服驅(qū)動器性能和效率！更小的伺服驅(qū)動體積和重量！更低的伺服驅(qū)動器成本！   隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET！   傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!     國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET單管及模塊適用于各類伺服驅(qū)動器，比如機器人、數(shù)控機械或工業(yè)自動化等應(yīng)用。   傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!   伺服驅(qū)動器是一類通過控制伺服電機電磁場將電能轉(zhuǎn)化為機械能，達到對伺服電機及負載進行精確的轉(zhuǎn)矩、速度、位置閉環(huán)控制的設(shè)備。永磁同步電機（Permanent Magnetic Synchronous Motor， PMSM）是一種性能優(yōu)越且應(yīng)用廣泛的伺服電機類型。使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動器降低耗電量，讓工業(yè)生產(chǎn)更加環(huán)保、可持續(xù)。 使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動器實現(xiàn)更高功率密度，通過比IGBT更小的器件達到相同性能，來實現(xiàn)更經(jīng)濟的伺服電機設(shè)計。 使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動器實現(xiàn)更緊湊、更省空間的電機設(shè)計，減少材料消耗，降低散熱需求。 使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動器擁有更長使用壽命，且不易出故障，使得制造商能夠提供更長的保修期。 使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET單管及模塊代替 IGBT 作為逆變器的核心功率器件進行集成伺服電機設(shè)計。與 IGBT 相比，國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET單管及模塊具有非常低的開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗。國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET單管及模塊可以位于電機外殼內(nèi)，并可以通過自冷卻金屬外殼實現(xiàn)相當(dāng)大的功率輸出。 使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的伺服驅(qū)動器堵轉(zhuǎn)工況的電流控制、結(jié)溫控制，是可以進行計算和仿真，給出計算和仿真數(shù)據(jù)給控制系統(tǒng)，作為限流控制、保護邏輯的設(shè)計參考，國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™可以提供這項服務(wù)。使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的伺服驅(qū)動器堵轉(zhuǎn)工作的大致過程是，伺服電機在堵轉(zhuǎn)時候，位置信號不變，逆變器的輸出角度不再變化，此時會出現(xiàn)逆變器三相輸出都是直流的情況，此時不產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場，伺服電機的繞組感抗為0，只有線路電阻存在（電阻非常小，一般毫歐級），如果還是按照比較大的占空比去控制，就會在三相之間產(chǎn)生非常大的堵轉(zhuǎn)電流。這時候從控制角度，就要控制上下管占空比接近0.5，避免過大的電流產(chǎn)生。 所以，從控制角度，1、一定要嚴(yán)格控制好堵轉(zhuǎn)時刻的占空比，根據(jù)輸出電流檢測反饋實時調(diào)節(jié)，避免過大電流引起國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET過熱損傷。2、輸出過流保護要加上，因為相間過流近似二類短路，不一定會使國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET完全退飽和，需要通過輸出電流傳感器檢測電流進行過流比較判斷，封鎖脈沖。3、驅(qū)動芯片退飽和檢測和保護功能是必須要加上的，短路保護全響應(yīng)時間根據(jù)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET的短路耐受能量設(shè)計。   IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。   未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。 為此，BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動、APF/SVG、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。   為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運行等特點。 針對新能源汽車的應(yīng)用需求，BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™研發(fā)推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅(qū)動中。 B3M040120Z是BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進一步提升。 BMF240R12E2G3是BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。 B2M040120T和B2M080120T是BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中。 BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。
      為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。   傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™單管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™I型三電平IGBT模塊，BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350，單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲一體機，儲能變流器，儲能PCS,雙向LLC電源模塊，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一體機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動壓縮機驅(qū)動器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅(qū)動，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲能變流器，變頻器，變槳伺服驅(qū)動輔助電源，高頻逆變焊機，高頻伺服驅(qū)動，AI服務(wù)器電源，算力電源，數(shù)據(jù)中心電源，機房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！   傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下，融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù)，以實現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向，將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品，堅定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務(wù)于中國新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng)，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充，高功率密度風(fēng)冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標(biāo)充電樁，車載DCDC模塊，國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應(yīng)用，傾佳電子（Changer Tech）為實現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗，從而為實現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻，邁向數(shù)字能源新時代！