碳化硅MOSFET
碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路。在新能源汽車電機(jī)控制器、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。
新一代采用輔助源極連接方式的碳化硅 MOSFET(TO-247-4)可以進(jìn)一步降低器件損耗,提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。
碳化硅MOSFET
Product |
VDS
(V)
|
ID
(A)
|
RDS(on)
(m?)
|
Qg
(nC)
|
Eon
(µJ)
|
Eoff
(µJ)
|
Package Name |
|
B1M160120HC |
1200 |
20 |
160 |
60 |
63 |
72 |
TO-247-3 |
樣品申請(qǐng) |
B1M080120HC |
1200 |
44 |
80 |
149 |
254 |
180
|
TO-247-3 |
樣品申請(qǐng)
|
B1M080120HK |
1200 |
44 |
80 |
149 |
163 |
77 |
TO-247-4 |
樣品申請(qǐng) |
B1M032120HC |
1200 |
84 |
32 |
314 |
1215 |
463
|
TO-247-3 |
樣品申請(qǐng)
|
B1M018120HC |
1200 |
114 |
18 |
636 |
1350 |
7320 |
TO-247-3 |
樣品申請(qǐng) |
|
深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。公司擁有一支國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì),核心成員包括來自清華大學(xué)、劍橋大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院、中國(guó)科學(xué)院等國(guó)內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的十多位博士。
基本半導(dǎo)體掌握國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù),研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈,先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET、車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品,性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已通過AEC-Q101可靠性測(cè)試,其他同平臺(tái)產(chǎn)品也將逐步完成該項(xiàng)測(cè)試?;景雽?dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
基本半導(dǎo)體與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心,是深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起單位之一,廣東省未來通信高端器件創(chuàng)新中心股東單位之一,獲批中國(guó)科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心,公司及產(chǎn)品榮獲2020“科創(chuàng)中國(guó)”新銳企業(yè)、“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)、中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽專業(yè)賽一等獎(jiǎng)等榮譽(yù)。