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傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC單管，SiC模塊，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產業(yè)鏈。傾佳電子（Changer Tech）致力于SiC模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊，SiC單管在電力電子應用中全面取代IGBT單管，650V SiC碳化硅MOSFET在電源應用中全面取代Super Junction超結MOSFET! 碳中和、智能化人類社會進入生態(tài)文明發(fā)展時代，科技創(chuàng)新為能源、交通、信息產業(yè)打造的發(fā)展動能?？萍紕?chuàng)新融合數字技術和電力電子技術，為新型電力系統(tǒng)能源基礎設施、新型電動出行能源基礎設施、新型數字產業(yè)能源基礎設施等‘三新能源基礎設施’，產業(yè)高質量發(fā)展。”雙碳目標不僅僅是技術變革，更是一場廣泛而深刻的社會變革，傾佳電子（Changer Tech）堅持在技術和產品方面持續(xù)創(chuàng)新，為智能光風儲發(fā)電機提供高品質SiC碳化硅功率器件及驅動IC，堅定不移地與客戶，解決方案伙伴，產業(yè)伙伴一起，攜手構建數字能源產業(yè)生態(tài)。傾佳電子（Changer Tech）將與產業(yè)界共同擁抱數字化、智能化，主動安全構網，攜手邁入光風儲發(fā)電機新時代，加速光儲成為主力能源！

為什么基本公司650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

在現代電力電子領域，器件的選擇對于系統(tǒng)性能至關重要。基本公司650V SiC（碳化硅）MOSFET作為一種新型的功率半導體器件，正在逐步取代傳統(tǒng)的超結MOSFET和GaN（氮化鎵）器件。這一現象背后，蘊含著材料科學、電子工程和電力電子技術的深刻變革。本文將從多個維度深入探討650V SiC MOSFET為何能夠成為超結MOSFET和GaN器件的有力競爭者。

首先，從材料特性上看，SiC具有顯著的優(yōu)勢。SiC的禁帶寬度是硅的3倍，導熱率為硅的4-5倍，擊穿電壓為硅的8-10倍，電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。這些優(yōu)異的物理特性使得SiC器件在高溫、高壓、高頻應用中表現出色。相比之下，傳統(tǒng)的硅基超結MOSFET雖然在制造工藝和結構上有所創(chuàng)新，但在材料本身的限制下，其性能提升已接近極限。而GaN器件雖然也具有較高的電子遷移率和飽和漂移速度，但其生長工藝復雜，成本高昂，且在高溫長時間續(xù)流情況下，反向電流能力急劇下降，限制了其廣泛應用。

基本公司650V SiC MOSFET的高溫穩(wěn)定性尤為突出。在高溫環(huán)境下，SiC器件的導通電阻上升幅度遠小于硅基器件，這意味著在高溫應用中，SiC MOSFET能夠保持較低的導通損耗，提高系統(tǒng)效率。而超結MOSFET雖然也具有一定的高溫穩(wěn)定性，但在極高溫度下，其RDS(ON)（導通電阻）的上升會對散熱提出更高要求。此外，SiC MOSFET的Ciss（輸入電容）明顯小于超結MOSFET，這使得SiC MOSFET的關斷延時更小，更適合于高頻率的開關應用。

超結 (Super Junction, SJ) MOSFET 固有器件弱點在算力電源，AI電源，雙向逆變器等要求越來越高的應用場合，客戶的應用痛點越來越突出：

超結 (Super Junction, SJ) MOSFET復雜制造工藝問題: 超結 MOSFET 的結構復雜，需要在制造過程中精確控制摻雜濃度和梯度，這使得生產難度加大，成本較高。

超結 (Super Junction, SJ) MOSFET熱穩(wěn)定性問題: 盡管其導通電阻在常溫下較低，但超結 MOSFET 的導通電阻在高溫環(huán)境中會顯著上升，這可能導致效率降低和散熱問題。

超結 (Super Junction, SJ) MOSFET開關速度問題: 相較于SiC MOSFET，超結 MOSFET 的開關速度稍顯遜色，在高頻應用中可能不如這些競爭對手表現優(yōu)異。

超結 (Super Junction, SJ) MOSFET寄生電容影響問題: 超結 MOSFET 的寄生電容較大，特別是輸入電容，對高頻開關性能會有一定影響，增加了驅動電路的復雜性。

超結 (Super Junction, SJ) MOSFET應力敏感性問題: 由于其超結結構的特性，應力分布不均可能導致器件在高壓或瞬態(tài)電壓條件下產生較高的電場峰值，增加器件故障風險。

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在開關損耗方面，SiC MOSFET同樣展現出顯著優(yōu)勢。由于SiC材料的高電子飽和漂移速度和低介電常數，SiC MOSFET的開關速度極快，開關損耗極低。相比之下，雖然GaN器件也具有極快的開關速度，但在實際應用中，由于GaN的驅動電路面臨著高頻響應、電壓應力、熱穩(wěn)定性等挑戰(zhàn)，其開關損耗的優(yōu)勢并不總是能夠充分發(fā)揮。特別是在硬開關長時間續(xù)流的電源應用，GaN的反向電流能力急劇下降，所以不得不選用更大余量的GaN器件，相對成熟且成本持續(xù)下降的的SiC MOSFET，GaN器件性價比進一步惡化。

隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發(fā)展方向，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

GaN氮化鎵器件面臨散熱管理困難: GaN 器件雖然可以在高溫下工作，但其相對較低的熱導率給散熱管理帶來一定挑戰(zhàn)，增加了系統(tǒng)設計的復雜性。

GaN氮化鎵器件面臨可靠性問題: GaN 器件在長時間高功率運行情況下的可靠性還有待進一步驗證，特別是在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性方面仍需更多研究。GaN氮化鎵器件面臨材料缺陷敏感性: GaN 的材料缺陷對器件性能影響較大，制造過程中需嚴格控制材料質量，增加了制造難度。GaN氮化鎵器件面臨單粒子效應 (SEE): 在空間和高輻射環(huán)境下，GaN 器件容易受到單粒子效應的影響，可能導致失效。

BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結MOS提供驅動芯片及驅動供電解決方案

BASiC基本公司針對多種應用場景研發(fā)推出門極驅動芯片，可適應不同的功率器件和終端應用。BASiC基本公司的門極驅動芯片包括隔離驅動芯片和低邊驅動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內功率器件的門極驅動需求。

BASiC基本公司低邊驅動芯片可以廣泛應用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領域的低邊功率器件的驅動或在變壓器隔離驅動中用于驅動變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級到幾十千瓦不等。

BASiC基本公司推出正激 DCDC 開關電源芯片BTP1521xx，該芯片集成上電軟啟動功能、過溫保護功能，輸出功率可達6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設定，最高工作頻率可達1.5MHz，非常適合給隔離驅動芯片副邊電源供電。

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咬住必然，勇立潮頭！BASiC基本公司代理商傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

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BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司™研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現更為出色的能源效率和應用可靠性。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。